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Technical Report

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[1] "Consumer electronics를 위한 high-performance CMOS A/D converters 개발", 삼성전자(주), 1994년 2월. 

 

[2] "고속도 고해상도 A/D 신호 변환기 설계 방식에 관한 연구", 서강대학교, 1994년 5월. 

 

[3] "Video-Speed High-Resolution A/D Converter 설계에 관한 연구", 전자부품종합 기술연구소(keti), KETI-RD-94013, 1994년 6월. 

 

[4] "Consumer electronics를 위한 high-performance CMOS A/D converters 개발", 삼성전자(주), 1994년 8월. 

 

[5] "Consumer electronics를 위한 high-performance CMOS A/D converters 개발", 삼성전자(주), 1995년 2월. 

 

[6] "Video-Speed High-Resolution A/D Converter 설계에 관한 연구", 전자부품종합 기술연구소(keti), KETI-RD-95006-5, 1995년 6월. 

 

[7] "Consumer electronics를 위한 high-performance CMOS A/D converters 개발", 삼성전자(주), 1995년 8월. 

 

[8] "반도체 메모리를 위한 CMOS 아날로그 회로 설계", 현대전자(주), 1996년 2월. 

 

[9] "Clock, 전원, 및 고속 인터페이스 회로 기술 개발", 통상산업부, 정보통신부, 과학기술처, 1996년 6월. 

 

[10] "10 Effective-Bit Resolution 5us CMOS Algorithmic A/D 변환기", LG반도체(주), 1996년 7월. 

 

[11] "반도체 메모리를 위한 CMOS 아날로그 회로 설계", 현대전자(주), 1996년 8월. 

 

[12] "Electronic Camera 응용을 위한 Analog 및 Digital Interface 회로 개발", 삼성전자(주), 1996년 9월. 

 

[13] "10 Effective-Bit Resolution 5us CMOS Algorithmic A/D 변환기", LG반도체(주), 1996년 11월. 

 

[14] "저전압 저전력 고정밀 CMOS Sample-and-Hold Amplifier 회로 설계", 한국과학재단, 1997년 3월. 

 

[15] "Electronic Camera 응용을 위한 Analog 및 Digital Interface 회로 개발", 삼성전자(주), 1997년 3월. 

 

[16] "HDTV 응용을 위한 10b 25MHz 저전력 CMOS A/D 변환기 설계", 현대전자(주), 1997년 6월. 

 

[17] "Clock, 전원, 및 고속 인터페이스 회로 기술 개발", 통상산업부, 정보통신부, 과학기술처, 1997년 6월. 

 

[18] "Electronic Camera 응용을 위한 Analog 및 Digital Interface 회로 개발", 삼성전자(주), 1997년 9월.

 

[19] "고속 DSL용 ADC 회로의 설계 및 구현", 한국 전자통신 연구원, 1차년도 중간연구보고서, 1998년 5월.

 

[20] " HDTV 응용을 위한 10b 25MHz 저전력 CMOS A/D 변환기 설계", 현대전자(주), 2차년도 최종연구보고서, 1998년 6월.

 

[21] "Clock, 전원, 및 고속 인터페이스 회로 기술 개발", 3차년도 연차보고서, 통상산업부, 정보통신부, 과학기술처, 1998년 6월. 

 

[22] "Wideband CDMA용 고속 저전력 ADC의 연구", 한국전자통신연구원, 1차년도 중간연구보고서, 1998년 8월

 

[23] "고속 DSL용 ADC 회로의 설계 및 구현", 한국전자통신연구원, 1차년도 최종연구보고서, 1998년 9월.

 

[24] "Wideband CDMA용 고속 저전력 ADC의 연구", 한국전자통신연구원, 1차년도 최종연구보고서, 1998년 11월.

 

[25] "Clock, 전원, 및 고속 인터페이스 회로 기술 개발", 4차년도 연차보고서, 통상산업부, 정보통신부, 과학기술처, 1999년 3월. 

 

[26] "10b 초고속 D/A 변환기 설계 기술 개발", 현대전자산업(주), 1차년도 연차보고서, 1999년 8월.

 

[27] "10 비트 100Msps 아날로그-디지털 신호변환기 구조연구", 한국전자통신연구원, 1차년도 중간보고서, 1999년 8월.

 

[28] "12 bit A/D 변환기 설계 및 기술개발", 현대전자(주), 1차년도 최종보고서,1999년 12월.

 

[29] "10 비트 100Msps 아날로그-디지털 신호변환기 구조연구", 한국전자통신연구원, 1차년도 최종보고서, 1999년 12월.

 

[30] "Clock, 전원, 및 고속 인터페이스 회로 기술 개발", 5차년도 최종보고서, 통상산업부, 정보통신부, 과학기술처, 2000년 1월.

 

[31] "비냉각 적외선 센서 어레이의 신호 처리 장치의 설계", 1차년도 중간보고서, 대우전자(주), 2000년 4월.

 

[32] "고해상도/고속 아날로그-디지털 신호변환기 (A/D Converter) 설계", 1차년도 중간보고서, 한국전자통신연구원, 2000년 6월.

 

[33] "고해상도/고속 아날로그-디지털 신호변환기 (A/D Converter) 설계", 1차년도 최종보고서, 한국전자통신연구원, 2000년 8월.

 

[34] "비냉각 적외선 센서 어레이의 신호 처리 장치의 설계", 1차년도 최종보고서, 대우전자(주), 2001년 3월.

 

[35] "새로운 코딩기법을 사용한 10b 초고속 CMOS A/D 변환기 셀 개발", 1차년도 중간보고서, 현대전자(주), 2001년 3월.

 

[36] "An 8b 200 MHz 0.18 um CMOS A/D Converter", Technical Report, Silicon Image Inc. USA, 2001년 5월.

 

[37] "새로운 코딩기법을 사용한 10b 초고속 CMOS A/D 변환기 셀 개발", 1차년도 최종보고서, 하이닉스(주), 2001년 8월.

 

[38] "11 bits 70 MHz ADC 개발", 1차년도 중간보고서, (주)스텔시스텔레콤, 2001년 8월.

 

[39] "Testability를 고려한 혼성모드집적회로용 10b 150MHz ADC IP 개발", 1차년도 중간보고서, 삼성전자(주), 2002년 1월.

 

[40] "11 bits 70 MHz ADC 개발", 1차년도 최종보고서, (주)스텔시스텔레콤, 2002년 3월.

 

[41] "Testability를 고려한 혼성모드집적회로용 10b 150MHz ADC IP 개발", 1차년도 최종보고서, 삼성전자(주), 2002년 9월.

 

[42] "8 bits 205MHz ADC 개발", 1차년도 중간보고서, 이디텍(주), 2003년 2월.

 

[43] "DVD 응용을 위한 8b 210MHz ADC IP 개발", 중간보고서, LG전자, 2003년 6월.

 

[44] "11b 30MHz ADC for CIS applications", 최종보고서, 하이닉스 반도체, 2003년 6월.

 

[45] “8 bits 220MHz ADC 개발", 최종보고서, 이디텍주식회사, 2003년 9월.

 

[46] “8 bits 280MHz ADC 개발", 중간보고서, 이디텍주식회사, 2003년 10월.

 

[47] "SoC 응용을 위한 소면적 10b 100MHz ADC IP 설계", 중간보고서, LG전자주식회사, 2004년 4월.

 

[48] "DVD 응용을 위한 Wobble 신호처리부를 포함하는 8bit 208MHz ADC 기술", 최종보고서, LG전자주식회사, 2004년 5월.

 

[49] "8 bits 280MHz ADC 개발", 최종보고서, 이디텍주식회사, 2004년 5월.

 

[50] "선행 핵심 IP 및 Platform 개발 (초고속 고성능 아날로그/혼성모드 Macro Cell IP 개발) : 시스템 집적반도체 기반기술 개발사업", 1차년도 연차보고서, 과학기술부, 산업자원부, 2004년 7월.

 

[51] "Ultra High-Resolution High-Speed Low-Power CMOS ADC 개발",  중간보고서, 삼성전자주식회사, 2004년 11월.

 

[52] "고속 데이터 변환기 제작", 중간연구보고서, ETRI, 2004년 12월.

 

[53] "SoC 응용을 위한 소면적 10b 100MHz ADC IP 설계", 최종보고서, LG전자주식회사, 2005년 1월.

 

[54] "CMOS Image Sensor 신호 처리 회로 개발", 연구보고서, (주)엠텍비젼, 2005년 3월.

 

[55] "200MS/s 이상 동작하는 8비트 고밀도 0.18um CMOS A/D 변환기 설계", 최종연구보고서, 서강대학교, 2005년 4월.

 

[56] "Ultra High-Resolution High-Speed Low-Power CMOS ADC 개발", 최종보고서, 삼성전자주식회사, 2005년 5월.

 

[57] "차세대 DTV용 10b 250MS/s 1.2V 0.13um CMOS ADC IP 개발", 중간연구보고서, LG전자주식회사, 2005년 7월.

 

[58] "초저전력 10bit 20MS/s (50MHz BW) 아날로그-디지털 신호변환기 (EA20051312)",  중간연구보고서, ETRI, 2005년 10월.

 

[59] "선행 핵심 IP 및 Platform 개발 (초고속 고성능 아날로그/혼성모드 Macro Cell IP 개발) : 시스템 집적반도체 기반기술 개발사업", 1차 및 2차년도 최종연구보고서, 과학기술부, 산업자원부, 2005년 10월.

 

[60] "초저전력 10b 20MS/s (50MHz BW) A/D 변환기 핵심 IP 개발," 연구보고서, 아날로그칩스, 2006년 1월.

 

[61] "IP지원 정부사업 위한 소면적 10b 100MS/s ADC IP 설계," 연구보고서, 아날로그칩스, 2006년 1월.

 

[62] "MEMS 가속도/각속도 센서 인터페이스 구현을 위한 초소형 저전력 Algorithmic ADC 설계," 중간연구보고서, 서울대-정통부, 2006년 4월.

 

[63] "A 10b 100MS/s Low-Power Samsung 0.13um CMOS A/D Converter," 중간연구보고서, 삼성전자, 2006년 5월.

 

[64] "고속 데이터 변환기 (ADC) 제작," 최종연구보고서, ETRI, 2006년 5월.

 

[65] "초저전력 10b 20MS/s (50MHz BW) 아날로그-디지털 신호변환기 개발," 최종연구보고서, ETRI, 2006년 5월.

 

[66] "MEMS 가속도/각속도 센서 인터페이스 구현을 위한 초소형 저전력 Algorithmic ADC 설계," 최종연구보고서, 서울대-정통부, 2006년 6월.

 

[67] "차세대 SoC 설계용 핵심 Core 개발 A 12b 130MS/s Low-Power 0.18um CMOS A/D Converter Design," 연차보고서, 과학기술부 및 산업자원부, 2006년 7월.

 

[68] "A 10b 100MS/s Low-Power Samsung 0.13um CMOS A/D Converter," 최종연구보고서, 삼성전자, 2006년 11월.

 

[69] "저전력 ADC 설계," 최종연구보고서, ETRI, 2007년 1월.

 

[70] "MEMS 가속도/각속도 센서 인터페이스 구현을 위한 14b 1KS/s 47uA 0.35um CMOS Algorithmic ADC 설계," 최종연구보고서, 서울대-정통부, 2007년 1월.

 

[71] "AMIS C5N 공정을 이용하여 제작된 Nyquist ADC," 최종연구보고서, 서울대-정통부, 2007년 8월.

 

[72] "차세대 SoC 설계용 핵심 Core 개발 - A 12b 130MS/s Low-Power 0.18um CMOS A/D Converter Design," 최종보고서, 과학기술부 및 산업자원부, 2007년 10월.

 

[73] "A 12b 200MS/s 저전력 소면적 65nm CMOS ADC," 중간보고서, 삼성전자, 2007년 10월.

 

[74] "A 12b 200MS/s 저전력 소면적 65nm CMOS ADC," 최종보고서, 삼성전자, 2008년 3월.

 

[75] "LTPS용 LDI를 위한 새로운 D/A 변환기 및 기반기술 개발," 최종보고서, 삼성전자, 2008년 7월.

 

[76] "UWB용 6bit 1GS/s 고속 CMOS ADC 및 DAC," 최종연구보고서, ETRI, 2008년 12월.

 

[77] "A 10b 200MS/s 저전력 소면적 45nm CMOS ADC," 중간연구보고서, 삼성전자, 2009년 2월.

 

[78] "Analog Front End용 12b 50MS/s 1.8V 0.18um CMOS ADC," 중간연구보고서, 동부하이텍, 2009년 4월.

 

[79] "A 10b 200MS/s 저전력 소면적 45nm CMOS ADC," 최종연구보고서, 삼성전자, 2009년 10월.

 

[80] "CIS 응용을 위한 10b 50MS/s 초저전력 Skinny Type 0.13um CMOS ADC," 중간연구보고서, 하이닉스, 2010년 9월.

 

[81] "아날로그/디지털 보정기법 기반 저전력 45nm CMOS 10b 100MS/s ADC 개발" 최종연구보고서, ETRI, 2010년 12월.

 

[82] "CIS 응용을 위한 10b 50MS/s 초저전력 Skinny Type 0.13um CMOS ADC," 최종연구보고서, 하이닉스, 2011년 3월.

 

[83] "CIS 응용을 위한 10b 50MS/s 초저전력 Skinny Type 90nm CMOS ADC IP," 중간연구보고서, 하이닉스, 2011년 10월.

 

 

 

 

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